加码化合物半导体!三安光电拟募资70亿元,格力斥20亿力挺

加码化合物半导体!三安光电拟募资70亿元,格力斥20亿力挺
11月11日,全球 LED 芯片龙头企业三安光电(600703)发布2019年度非公开发行A股股票预案,拟非公开发行不超越8.16亿股,征集资金总金额不超越70亿元,投入半导体研制与工业化项目。依据预案发表,本次非公开发行拟征集资金总额为不超越700,000万元,其间,长沙先导高芯出资合伙企业(有限合伙)(以下简称“先导高芯”,由长沙市国资委实践操控)拟认购金额为50亿元,格力电器拟认购金额为20亿元。本次非公开发行股票的数量为征集资金总额除以本次非公开发行股票的发行价格,且不超越本次发行前总股本4,078,424,928股的20%,即不超越815,684,985股(含815,684,985股)。别的,本次发行完结后,依照非公开发行的股票数量上限核算,先导高芯持股将超越5%,构成公司关联方;格力电器持股份额低于5%,不构成公司关联方。值得一提的是,格力电器此前还斥资30亿入股了闻泰科技增发收买安世半导体项目,获得了闻泰科技3.45%的股权。布告称,本次非公开发行征集资金总额扣除发行费用后的征集资金净额拟投入“半导体研制与工业化项目(一期)”(规划总出资约138亿元)。首要投向中高端产品,包含高端氮化镓LED外延芯片、高端砷化镓LED外延芯片、Mini/Micro LED、大功率三基色激光器、车用LED照明、大功率高亮度LED、紫外/红外LED、太阳能电池芯片等。三安光电表明,跟着本次募投项目的顺畅施行,在前期工业布局根底上,本次募投项目的首要产品将填补国内空白, 公司进步在高端、新式运用范畴产品的产能,加快产品结构晋级,提高商场份额, 习惯 LED 职业产品结构调整的开展趋势。材料显现,三安光电首要从事化合物半导体材料的研制与运用,以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所触及的外延片、芯片为中心主业。三安光电“半导体研制与工业化项目(一期)”基本情况依据预案显现,三安光电半导体研制与工业化项目(一期)建造首要包含三大事务板块及公共配套建 设,三大事务板块分别为:氮化镓(GaN)事务板块、砷化镓(GaAs)事务板块、特种封装事务板块。本次募投项目施行后,将建成包含高端氮化镓 LED 衬底、外延、芯片;高 端砷化镓 LED 外延、芯片;大功率氮化镓激光器;特种封装产品运用四个产品 方向的研制、出产基地。其间,各事务板块详细的产能规划如下:1、氮化镓事务板块:(1)年产GaN芯片 769.20 万片,其间:第五代显 示芯片(Mini 背光/Micro LED)161.60 万片/年、超高效节能芯片 530.80 万片/ 年、紫外(UV)芯片 30.80 万片/年、大功率芯片 46.00 万片/年;(2)PSS 衬底 年产 923.40 万片;(3)大功率激光器年产 141.80 万颗。2、砷化镓(GaAs)事务板块:(1)年产 GaAs LED 芯片 123.20 万片,其间:第五 代显现芯片(Mini/Micro LED)17.60 万片/年、ITO 红光芯片 34.90 万片/年、RS 红光芯片 19.10 万片/年、高功率红外产品 14.20 万片/年、植物生长灯芯片 14.40 三安光电股份有限公司 2019 年度非公开发行 A 股股票预案 24 万片/年、大功率野外亮化芯片 7.20 万片/年、车用级芯片 7.00 万片/年、医疗健 康芯片 8.80 万片/年;(2)年产太阳电池芯片 40.50 万片,其间:商用卫星电池 13.50 万片/年、挨近空间设备 27.00 万片/年。3、特种封装事务板块:(1)UV LED 封装 81.40kk/年;(2)Mini LED 芯 片级封装 8,483.00 kk/年;(3)车用级 LED 封装 57.80kk/年;(4)大功率 LED 封装 63.20kk/年;(5)IR LED 封装 39.00kk/年。从上面的介绍来看,此次三安光电募资的70亿首要都是方案投向以砷化镓、氮化镓为代表的高端化合物半导体的研制与运用。当时依据工业链调研多种痕迹显现,为应对中美交易冲突及科技战,国内化合物半导体自主可控已火烧眉毛。当时上至国家方针工业基金、下至电子终端品牌均纷繁出资、出力,助力国内化合物半导体提前完结自主可控。特别值得一提的是,数月前,华为就出资了国内抢先的第三代半导体材料公司——山东天岳先进材料科技有限公司,持股10%。该公司是我国第三代半导体材料碳化硅衬底及芯片出产抢先企业。据工业链调研显现,华为除出资化合物半导体工业相关公司,还派中心技能人员与化合物工业链要点公司协作开发产品,加快国内化合物半导体技能才能,其间也包含三安集成。化合物半导体为何如此重要?化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确认的原子配比构成的化合物,并具有确认的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。第二代、第三代半导体材料运用以三五族为代表的化合物半导体,在通讯射频、光通讯、电力电子等范畴运用逐渐添加。差异于第一代由单元素如硅(Si)、锗(Ge)等所构成的半导体,化合物半导体指由两种或两种以上元素配比构成的化合物,例如砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等化合物,其具有确认的禁带宽度和能带结构等半导体性质,在电子迁移率、禁带宽度、功耗等指标上体现更优,具有高频、抗辐射、耐高电压等特性。这其间 GaAs 为第二代半导体,氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带材料第三代半导体。依据化合物半导体材料的材料特性不同,可分为宽禁带和窄禁带半导体材料。禁带宽度 Eg< 2.3eV(电子伏特),则称为窄禁带半导体,如锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)以及磷化铟(InP);若禁带宽度 Eg>2.3eV 则称为宽禁带半导体,如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、H 碳化硅(HSiC)、氮化铝(AlN)以及氮化镓铝(ALGaN)等。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱满电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射才能强以及杰出的化学稳定性等特色,十分合适于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器材。第三代半导体材料归于宽禁带半导体材料,和传统硅材料运用范畴较为不同。传统硅半导体更多的是用来制作存储器、处理器、数字电路和模仿电路等传统的集成电路芯片。而第三大半导体例如碳化硅,由于能接受大电压和大电流,特别合适用来制作大功率器材、微波射频器材以及光电器材等。特别是在功率半导体范畴,未来碳化硅本钱下降后,有望对硅基的 MOSFET IGBT 等构成部分代替。在各类化合物半导体资猜中,GaAs 现在占有干流商场,未来 GaN /SiC 商场迎来较好开展机会。GaAs 现在占有干流商场运用于通讯范畴,2G、3G 和 4G 等年代 PA 首要材料是 GaAs,全球商场容量挨近百亿美元。GaN 为大功率、高频性超卓,现在商场容量约 10 亿美元,运用于军事等特别范畴;SiC 在大功率运用中优势明显,作为高功率材料运用于轿车以及工业电力电子,现在商场容量约 4 亿美元,估计到 2023 年有望超越 15 亿美元。跟着进入 5G 年代以及商场对宽禁带产品需求提高,SiC 和 GaN 等第三代半导体将更能习惯未来的运用需求。▲射频功率器材按工艺区分商场占比(来历:Yole)全球化合物半导体商场格式在化合物半导体的射频及功率器材商场,现在首要以 IDM 厂商为主,代工形式为辅。 IDM 厂分为美系厂商(如 Qorvo、Skyworks、MACOM 与 Wolfspeed 等),以及日系厂商(如 Sumitomo Electric、Murata 等)两大阵营,而制作代工厂则以台系厂家稳懋、环宇及汉磊等为首要,从商场份额来看 IDM 厂商商场份额占有干流方位。第三代半导体 SiC/GaN 器材现在供货商也首要以外资厂商为主,国内厂商逐渐生长。海外 SIC/GaN 供货商包含 Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森美半导体、意法半导体、罗姆、东芝和 Wolfspeed 等。一起台积电及世界先进,开端提 供 GaN-on-Si 的代工事务,稳懋则主打 GaN-on-SiC 范畴瞄准 5G 基站,X-Fab、汉磊及环宇供给 SiC 及 GaN 的根底代工事务。跟着代工事务的带动,第三代半导体材料的商场规模也进一步扩展。现在国内下流职业龙头企业比亚迪、阳光电源和华为等等都现已在产品系列中广泛运用了SiC MOSFET。世界欧洲商场,其350kW 超级充电站现已采用了Sic 模块产品,在新能源车中的双向车载充电器、高性能电驱动单元等环节也逐渐开端运用 SiC 模块。三安光电的化合物半导体布局自2014 年起,三安光电就开端全面布局化合物半导体,方针打造化合物半导体制作领军者。2014 年 5 月,三安光电延伸其Ⅲ-Ⅴ族化合物(LED 用砷化镓及氮化镓芯片)的出产经历,正式进入化合物晶圆制作的代工服务。2014 年 5 月公司树立厦门三安集成并施行建造 30 万片/年砷化镓(GaAs)和 6 万片/年氮化镓(GaN) 外延片出产线。2015 年 10 月,三安集成电路开端施行试出产。2015年6月,国家集成电路工业基金斥资48.39亿元入股三安光电,随后在12月,大基金再度斥资16亿元参加三安光电的增发,现在大基金持有三安光电11.3%的股份,为其第二大股东。此外,三安光电与大基金出资主体——华芯出资、国开行、三安集团约好四方树立战略协作关系,大力支持其开展以 III-V 族化合物半导体为要点的集成电路事务。2016 年 11 月,三安光电与 GCS 合资树立厦门三安环宇集成电路有限公司,其间三安光电股份占比 51%。2017 年 1 月三安光电 HBT 工艺经过要点客户产品认证。2018 年 12 月三安集成宣告推出国内第一家 6 英寸 SiC 晶圆代工制程,且悉数工艺判定实验已完结。成为国内首个进入实质性量产的商业化 6 英寸化合物半导体集成电路制作渠道。其可认为 650V、1200V 和更高额外肖特基势垒二极管(SBD)供给器材结构,很快还将推出针对 900V、1200V 和更高额外 SBD 的 SiC MOSFET 工艺。现在,三安集成现已成为国内化合物半导体制作渠道龙头,公司产品工艺布局较为完善,产品类别包含射频、电力电子、光通讯和滤波器板块,2018 年在职员工已打破 800 人,营收约 1.71 亿元,出货客户累计至 73 家,出货产品达 270 种。在射频代工范畴,三安集成在国内商场开展加快,获得更多工艺渠道的客户认证,公司产品量产节奏加快。在电力电子范畴,公司已推出老练的 650V/1200V SiC 器材工艺,并已获得包含北美客户在内的职业客户的认证及订单;GaN 器材相关工艺将于 2019 年第三季度完结一切工艺可靠性认证并推向商场。光通讯范畴在发射及接纳端,面向传统通讯商场以及新式的 5G 相关商场、数据中心及消费类商场,均已推出成套解决方案。跟着公司GaAs、光通讯产品逐渐遭到客户很多验证运用,GaN和SiC产品逐渐由研制导入量产,2019 年起出货量将会逐渐增加。依据公司 2019 年中报布告,“三安集成已获得国内重要客户的合格供货商认证,并与职业标杆企业打开事务范围内的全面协作。”值得一提的是,2019 年 3 月美的携手三安集成电路打造联合实验室,有望加快助力公司第三代化合物半导体芯片快速导入。国内家电职业领军企业美的集团宣告,与市三安集成战略协作,一起建立第三代半导体联合实验室,将经过与三安集成一起研制第三代半导体功率器材,并有望加快三安产品导入到美的旗下的白电运用傍边。而此次,三安光电的70亿定增募资方案,将加强公司在化合物半导体范畴的技能实力,一起加快相关技能和产品的运用。而此次定增方案傍边,家电巨子——格力电器的参加,则使得三安集成的化合物半导体功率器材有望进入到格力电器的供应链傍边,进一步助于助推国产化合物半导体工业的开展。修改:芯智讯-浪客剑材料来历:三安光电布告、国信证券600184光电股份三安光电非公开发行新规半导体工艺光电产品有哪些三安光电股票走势